Сверхпроводники в магнитном поле

= =

q-заряд, протекший через гальванометр, I-ток через гальванометр,
ε-ЭДС, Ф-магнитный поток через измерительную катушку L, S-площадь (nSсредн) катушки L, n-число витков катушки L

поле Н возникает экранирующий поверхностный ток В=0.
2) Вне СП Нвнеш=Ввнеш

фазы»).
2) Необратимость (гистерезис).
3) Остаточный магнитный поток (или В) при Н=0.

гальванометра ϕ~ΔФ~M. Здесь ΔФ – изменение потока в катушке

в 2 раза больше

дает на выходе Vвых~

и выходе:

μ=1.

После интегратора V~ ~M

ns~ns(0) (1-T/Tc), т.е. λБКШ=λБКШ(Т)·(1–T/Tc)-1/2
На эксперименте λexp:
λexp=λ(0)·[1–(T/Tc)4]-1/4.
При Т→Тс
λexp~(1–T/Tc)-1/2,
т.е. согласуется

через тонкую пленку с d≤λ.
2) Измерение резонансной частоты объемного

С Т меняется глубина проникновения поля, т.е. эффективный размер полости резонатора, т.е. его частота

3) Измерение частоты LC-генератора, в котором в качестве индуктивности L используется катушка со СП сердечником

носителей заряда l (т.е. от чистоты материала)

чистоты материала
А глубина проникновения магнитного поля в сверхпроводник:
λ(l)=λ∞ .
Здесь λ∞=λ(l=∞).

При уменьшении d поле все больше проникает в пленку
Эксперимент: Нспленки>Нсмассив

M=-(1/4π)H→массивный СП, то из (1) получим
Gs(H)=Gs(0)+Н2/8π (2)
Здесь член Н2/8π - энергия

силовых линий увеличена, т.е.
Нэф≡На>H
(из-за добавочных токов)
Записывают Нэф=Н-4πnMM это эквивалентно B=H+4πM.
Здесь nM

H

|| полю, когда nМ = 0

зависимость R(H). Проволочка диаметром 30-50 мкм.
В СП области Н=0, В

в магнитном поле.
P – поляризатор (свет после него линейно поляризован,