Слайд 1Методи дослідження наносистем:
спектроскопічні та дифракційні методи
Лекція №8
30.03.16
Слайд 2Методи дослідження наносистем:
2.Дифракційні методи:
3. Спектроскопічні методи:
4. Мас-спектрометрія
1.Мікроскопічні методи:
Слайд 4Завдання рентгеноструктурного аналізу нанокристалів:
1.Атомна структура наночастинок (наноблоків).
2.Форма наночастинок (наноблоков).
3.Размір часточок,
параметри розподілу по розмірам
4. Наноструктура –структура міжблочних границь.
Дифракційні методи для
наносистем:
Яка різниця між наночасточкою та нанокристалом?
Слайд 5Нанокристал:
Класифікація наноструктур за
Зигелем:
0 – нульмірні,
1 – одномірні,
2
- двомірні,
3 – трьохмірні.
Атомна модель нанокристала за Гляйтером. Чорним
позначено атоми в міжзарнових областях
Слайд 6Методи рентгенографічного аналізу наносистем
Формула Вульфа – Брегга:
dhkl – міжплощинна відстань
для системи площин з індексами hkl,
λ – довжина хвилі
рентгенівського випромінювання,
n – порядок відбиття від даної системи площин,
θ – кут відбиття
Форма дифракційних піків для системи нанокристалів залежить від розподілу часточок по розміру.
Формула Шеррера:
D – ефективний розмір кристаліта
βS –інтегральна ширина лінії
Слайд 7Малокутове рентгенівське розсіювання
Монодисперсні системи:
Наночасточки металів в матриці, розчини білків в
полімерах
Визначити:
Форму та розмір часточок
Полідисперсні системи:
Наночасточки різних розмірів, пористі наночасточки в
матриці
Визначити:
Розподіл по розмірам, площа поверхні на межі зерен, товщина перехідного шару
Полікристал/частково орієнтовані системи:
Визначити:
Розподіл по розмірам неоднорідностей, розмір кристаліту
Монодисперсні системи
Полідисперсні системи
Полікристал
Слайд 8Вплив дефектів на ширину ліній
Рентгенограми гексагонального Co :
a –
часточки з ідеальною кристалічною структурою (розрахунок)
б - часточки, що
містять біля 20% дефектів упаковки (експеримент)
Нанокристали
ОКР
Слайд 9Малокутове рентгенівське розсіювання
Пружне розсіювання рентгенівського випромінювання
Діапазон кутів 2Θ =
0.1 -3.5°
Довжини хвиль : 2.2 – 0.7 A
Характерний розмір неоднорідностей
100 – 20 нм
Дослідження упорядкованих наносистем
Чим менше радіус часточок – тим більш “розмазана” дифракційна картинка
Слайд 11Дифракція електронів для дослідження поверхні:
Дифракція швидких електронів
reflection high-energy electron diffraction
(RHEED)
Дифракція повільних електронів
low-energy electron diffraction
(LEED)
аналіз картин дифракції електронів, пружно розсіяних від досліджуваної поверхні під ковзаючими кутами
Енергія
електронів 30-200 еВ
Енергія електронів 5 - 100 кеВ
Плівка Ge на поверхні Si
Плівка Ge на поверхні Si
Слайд 12Дифракція повільних електронів
Флуоресцентний екран
Електронна пушка
Зразок
Лінзи
Вінельт
Для оцінки структурної досконалості поверхні;
оцінити морфологію
поверхні ;
- визначити атомну
структуру поверхні
Слайд 13Електронна пушка
Зразок
Флуоресцентний екран
Дзеркальний рефлекс
Межа тіні
Тримач зразка з азимутальним обертанням
Дифракція
швидких електронів
визначити структуру три-вимірних острівців
- контролювати поверхню
пошарово зібраних плівок з атомарної точністю;
для оцінки структурної досконалості поверхні;
оцінити морфологію
поверхні.
Слайд 14Нейтронна дифракція по часу прольоту
1 - джерело нейтронів,
2 - сповільнювач,
3 - вакуумований нейтроновод
4
- зразок
5 - детектор,
6 - пристрій аналізу,
7 - оперативна пам'ять
Дифрактометр високого тиску
Слайд 15Рентгенівська та фотоелектронна спектроскопія
Взаємодія рентгенівського променя з речовиною
Рентгенівська флуоресценція
Оже-процес
фотоіонізація
Слайд 16Рентгенівська спектроскопія поглинання
X-ray Absorption Fine Structure
(XAFS)
X-Ray absorption near-edge structure
Околокрайова
тонка структура
Extended X-Ray absorption fine structure
Протяжна осциляційна структура
Межа смуги поглинання
Слайд 17Локальна структура плівок GaAs
локальна атомна структура нанокристалічною GaAs відрізняється від структури об'ємної фази тільки в
дальніх координаційних сферах ( 4-й порядок)
Р. Г. Валеев, А. Н.
Деев, Ф. З. Гильмутдинов, Ю. В. Рац, Вестник Удмуртского университета, 2005, № 4
Слайд 19Рентгенівська фотоелектронна спектроскопія
Області застосування:
Якісний і кількісний аналіз поверхні (всі елементи, починаючи з He);
аналіз ступеня окиснення виявлених елементів;
вивчення зонної структури твердого тіла;
дослідження розподілу ступенів окиснення по глибині
(профілювання) і по поверхні (картування);
вивчення реакцій на поверхні, зокрема, каталізу;
аналіз домішок і дефектів та ін.
Ekin=hυ-E-φ
Сu – об'ємна фаза
НЧ
Сu
15 нм
Слайд 20Рентгенівська фотоелектронна спектроскопія: оглядовий спектр
1. Первинний спектр: електронні рівні остову,
валентних рівнів та Оже-серії
2. Вторинний спектр: рентгенівські сателіти і духи, мультиплетне розщеплення, сателіти "струсу" (shake-up)
і "струшування" (shake-off), і
асиметричні рівні остову металів, плазмони
РФЕС Ag
РФЕС Au та Pt
Слайд 21Вторинний спектр: природа сателітів
сателіти "струсу" (shake-up)
hυ
Визначається заповненість/незаповненість валентної оболонки!
Вторинний спектр:
рентгенівські сателіти і духи,
мультиплетне розщеплення,
сателіти "струсу" (shake-up)
"струшування" (shake-off)
асиметричні рівні остову металів
плазмони
Слайд 22Стан Оксигену на срібних наноплівках
Спектри оксигену O 1s окиснених наночасточок Ag в залежності від співвідношення Ag/Au
(1) 1.0; (2) 2.5; (3) 6.5.
(b) Спектри валентної зони (1) наночастинок Ag при Ag/Au= 1.0 і (2) Ag2O,
(c) ПЕМ наночасточок Ag
при Ag/Au= 1.0
Слайд 23Електронна Оже-спектроскопія
К
L1
L2
hυ
фотоелектрон
дірка
Ekin
Оже-електрон
Типовий спектр вторинних, розсіяних та Оже-електронів
Оже-спектр Ag: а ‑
інтегральний N(E); б – диференційований dN/dE.
Слайд 24 Оже-переходи.
Точки, що мають інтенсивніший чорний колір, є найімовірніші
Оже-переходи
Слайд 25Оже-спектроскопія наноалмазів
И.И. Кулакова, В.В. Корольков, Р.Ю. Яковлев, Г.В. Лисичкин// Российские
нанотехнологии, т.5, №7, 2010
Наноалмаз
Відн.
Наноалмаз
Графіт
Алмаз
Будова наноалмаза
СЕМ наноалмаза
Слайд 26Деякі характеристики електронної спектроскопії
Слайд 27Діагностика складу приповерхневих шарів наносистем
Слайд 28ІЧ та Раманівська спектроскопія
ІЧ – спектр нанопорошка карбонітриду силіцію
А) після
активації при 873 К;
Б) після нагрівання в тоці сухого кисню
при 773 К
Раманівський спектр нанокристалів Ge
Слайд 29Фізико-хімічні характеристики наносистем
Слайд 30Іммобілізація продуктів відновлення сульфід-йоном Au3+
ПЕМ (1,2) та АСМ зображення НЧ
Au
РФЕС відновлених зразків золота, що іммобілізована на поверхні пірографіта
Слайд 31Комплексне застосування фізико-хімічних методів дослідження на прикладі полішарових плівок
Полірування підкладки
Напилення
металів
Металічні
плівки
Моношарова
плівки
Подвійна плівка Fe+Cu
Термічний відпал
в ампулі
(5500С)
Поверхневі
фази
Поверхнева
Фаза 1
Поверхнева
Фаза 2
Слайд 32Комплексне застосування фізико-хімічних методів дослідження на прикладі полішарових плівок
Слайд 33Морфологія плівки Fe+Cu за даними тунельної скануючої мікроскопії
РФЕС підкладки з
плівкою заліза
Комплексне застосування фізико-хімічних методів дослідження на прикладі полішарових плівок
Слайд 34Встановлення механізму витіснення наночасточок золота
СТМ наночасточок золота на підкладці до
і після термічного відпалу
Механізм витіснення НЧ золота при сульфідизації металічних
плівок
Слайд 35Короткі нотатки:
1. Дифракційні методи аналізу включають дифракцію рентгенівського випромінювання, нейтронографію
та дифракцію повільних та швидких електронів. Користуючись цими методами встановлюють
атомну будову поверхні твердих зразків, аналізують шорсткість та середній розмір наночасточок.
2. При взаємодії рентгенівського випромінювання з атомами можлива реалізація трьох процесів: фотоіонізації, флуоресценції, Оже-процесу.
3. Рентгенівська та фотоелектронна спектроскопія вивчає електронні переходи за участю валентних та внутрішніх електронів для встановлення ближнього та дальнього порядку, зарядового стану атомів.
4. У спектрах рентгенівської фотоелектронної спектроскопії крім характеристичних смуг спостерігаються елементи вторинної структури: рентгенівські сателіти, мультиплетне розширення та ін.
5. Оже - спектроскопія хоча і має обмеження, однак може бути використана і для кількісного аналізу.
Слайд 36Рекомендована література:
С.В. Цыбуля, С.В. Черепанова // Введение в структурный анализ
нанокристаллов – Новосибирск, - 2008 – 92с.
Суздалев И.П. Нанотехнология: Физико-химия
нанокластеров, наноструктур и наноматериаллов // М: ЛИБРОКОМ, 2009, 592с.
Уиндзор К. Рассеяние нейтронов от импульсных источников, М.Энергоатомиздат, 1985.
Аксенов В.Л., Тютюнников С.И., Кузьмин А.Ю., Пуранс Ю. EXAFS – спектроскопия на пучках синхротронного излучения // Физика элементарных частиц и атомного ядра - 2001 – том 32, вып. №6 – с. 1299 – 1358.
Н.А.Петров, Л.В.Яшина. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия // Москва, МГУ, 2011.
6. В.И. Троян, М.А. Пушкин, В.Д. Борман, В.Н. Тронин Физические основы методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела / Под ред. В.Д. Бормана: Учебное пособие. – М.: МИФИ, 2008. – 260 с.
