Лекция №2

Особенности, основ-ные параметры, область применения.
3. Специальные диоды.
Электроника и схемотехника

Полупроводниковые диоды.

имеет два вывода и содержит один (или несколько) p-n -переходов.
Все

полупроводниковые диоды можно разделить на две группы: выпрямительные и специальные.
Выпрямитель­ные диоды, как следует из самого названия, предназначены для выпрямления переменного тока. В зависимости от частоты и формы переменного напряжения они делятся на высокочастотные, низкочастотные и импульсные.
Специальные типы полупроводниковых диодов используют различные свойства p-n - переходов; явле­ние пробоя, барьерную емкость, наличие участков с отрицательным сопротивле­нием и др.
В большинстве случаев полупроводниковые диоды с р-n-переходами делают несимметричными, т. е. концентрация примесей в одной из областей значительно больше, чем в другой. Поэтому количество неосновных носителей, инжектируемых из сильно легированной (низкоомной) области в слабо легированную (высокоомную) область диода, называемую базой, значительно больше, чем в противоположном направлении.

Классификация диодов производится по различным признакам:
по типу полупроводникового материала: - кремниевые,
- германиевые,
-из арсенида галлия;
по назначению:
-выпрямительные,
-импульсные,
-стабилитроны,
-варикапы и др.;
по технологии изготовления электронно-дырочного перехода:
-сплавные,
-диффузионные и др.;

тип электрического перехода и назначение диода.
Выпрямительный диод – это полупроводниковый

диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.
Выпрямительные диоды, кроме применения в источниках питания для выпрямления переменного

2. Выпрямительные диоды.

Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода

в ограничительных и развязывающих цепях, в схемах умножения напряжения и

преобразователях постоянного напряжения, где не предъявляются высокие требования к частотным и временным параметрам сигналов. Германиевые диоды лучше кремниевых тем, что имеют меньшее прямое падение напряжения. Кремниевые диоды превосходят германиевые по диапазону рабочих температур, по максимально допустимому обратному напряжению, а также имеют меньший обратный ток.

В настоящее время на практике преимущественно применяется система так называемых предельных параметров, основными из которых являются:
1. Максимально допустимый средний прямой ток Iпр ср max . Это максимально допустимое среднее за период значение прямого тока, длительно протекающего через прибор.
2. Максимально допустимый ток перегрузки I прг max. Это ток диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры полупроводниковой структуры, но ограниченный по времени так, что превышение этой температуры не происходит.
3. Максимально допустимый ударный ток Iпр уд max. Это максимально допустимая амплитуда одиночного импульса тока синусоидальной формы длительностью 10 мс при заданных условиях работы прибора, что соответствует половине периода тока частотой 50 Гц.
4. Максимально допустимое импульсное повторяющееся напряжение Uобр.и.п.max. Это максимально допустимое мгновенное значение напряжения, периодически прикладываемого к диоду в обратном направлении. Повторяющееся напряжение характеризуется классом прибора, указывающим его в сотнях вольт и дающимся в паспортных данных.
5. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение Uобр и н max – максимальное допустимое
мгновенное значение любого неповторяющегося напряжения, прикладываемого к диоду в обратном
направлении.
6. Максимально допустимое постоянное обратное напряжение Uобр max – напряжение, соответствующее началу процесса лавинообразования в приборе (напряжение пробоя). Большинство указанных параметров обычно приводится в техническом паспорте на прибор, а более подробно информация о параметрах, характеристиках и эксплуатационных свойствах – в технических условиях на прибор.

- максимально-допустимое постоянное обратное напряжение диода;
Uобр.и.макс. - максимально-допустимое импульсное

обратное напряжение диода;
Iпр.макс. - максимальный средний прямой ток за период;
Iпр.и.макс. - максимальный импульсный прямой ток за период;
Iпрг. - ток перегрузки выпрямительного диода;
fмакс. - максимально-допустимая частота переключения диода;
fраб. - рабочая частота переключения диода;
Uпр при Iпр - постоянное прямое напряжения диода при токе Iпр;
Iобр. - постоянный обратный ток диода;
Тк.макс. - максимально-допустимая температура корпуса диода.
Тп.макс. - максимально-допустимая температура перехода диода.

В зависимости от значения максимально допустимого прямого тока выпрямительные диоды подразделяют на:
- диоды малой мощ­ности (прямой ток до 0,3 А);
- диоды средней мощности (прямой ток от 3 до 10 А);
- диоды большой мощности (прямой ток более 10 А).
При производстве первых выпрямительных плоскостных дио­дов в качестве исходного полупроводникового материала использовали германий, технология получения и очистки монокристаллов которого была уже освоена. Значительно позже было налажено производство кремниевых выпрямительных плоскостных диодов. В связи с сущест­венными преимуществами кремниевых выпрямительных плоскост­ных диодов они практически целиком вытеснили германиевые выпрямительные плоскостные диоды из массового производства. После этого был налажен выпуск выпрямительных плоскостных диодов из арсенида галлия.

получить из ВАХ. Вольт-амперные характеристики одного из выпрямительных кремниевых плоскостных

диодов при разных температурах окру­жающей среды приведены ниже.

Максимально допустимые прямые токи кремниевых плоскост­ных диодов различных типов составляют 0,1... 1600 А. Падение напряжения на диодах при этих токах не превышает обычно 1,5 В. С увеличением температуры прямое напряжение умень­шается, что связано с уменьшением высоты потенциального барьера p-n - перехода и с перераспределением носителей заряда по энергиям. Обратная ветвь ВАХ кремниевых диодов не имеет участка насыщения обратного тока, так как обратный ток в кремниевых диодах вызван процессом генерации носителей заряда в p-n - пере­ходе. Пробой кремниевых диодов имеет лавинный характер. Поэтому пробивное напряжение с увеличением темпе­ратуры увеличивается.

ВАХ кремниевого диода

2.1. Кремниевые диоды.

мостовым схемам (однофаз­ным, тре-хфазным), а также в выпрямителях с удвое-нием

напря­жения промышленностью выпус-каются выпрямительные полупро­водниковые блоки. Выпрямительный полупроводниковый блок - это полупроводниковый блок, собран-ный из выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных по определенной элек-т­рической схеме и оформленных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов.
Диапазон рабочих температур для кремние-вых выпрямитель­ных диодов ограничен зна-чениями —60... + 125°С. Нижний пре­дел ра-бочих температур обусловлен различием те-мпературных коэффициентов линейного рас-ширения различных элементов кон­струкции диода. Верхний предел диапазона рабочих температур выпрямитель­ных диодов опреде-ляется резким ухудшением выпрямления в свя­зи с ростом обратного тока - сказывается тепловая генерация носителей заряда в ре-зультате ионизации атомов полупроводни­ка.

Выпрямительные диоды: дискретное исполнение (а); диодные мосты (б) и конструкция одного из маломощных диодов (в)

Таким образом, верхний предел диапазона рабочих темпера­тур выпрямительных кремниевых диодов, как и большинства других полупроводниковых приборов, связан с шириной запре­щенной зоны исходного полупроводникового материала.

окружающей среды приведены ниже. Основные отличия ВАХ и параметров германиевых

и кремниевых выпрямительных плоскостных диодов заключа-ются в следующем:

-Прямое напряжение на германиевом диоде при максималь­но допустимом прямом токе приблизительно в два раза меньше, чем на кремниевом диоде. Это вызвано меньшей высотой потен­циального барьера германиевого p-n -перехода является су­щественным, но, к сожалению, единственным преиму-ществом перед кремниевыми выпрямительными диодами.

ВАХ германиевого диода

-Существование тока насыщения при обратном включении германиевого диода, что вызвано механиз-мом образования об­ратного тока - процессом экстракции неосновных носителей за­ряда из прилегаю-щих к p-n -переходу областей.
-Значительно большая плот­ность обратного тока в германиевых диодах, так как при прочих равных условиях концентрация неосновных носителей заряда в германии боль­ше на несколько порядков, чем в кремнии.
- Большие обратные токи через германиевые диоды, в результате чего пробой германиевых диодов имеет тепловой характер. Поэтому пробивное напряжение германиевых диодов уменьшается с увели-чением температуры, а значения этого на­пряжения меньше пробивных напря­жений кремниевых дио-дов.
- Верхний предел диапазона ра­бочих температур германиевых дио­дов составляет приблизительно 75°С, что значительно ниже по сравнению с тем же параметром крем­ниевых диодов.

Существенной особенностью германиевых диодов и их недо­статком является то, что они плохо выдер-живают даже очень кратковременные импульсные перегрузки при обратном направ­лении для p-n – перехода. Определяется это механизмом пробоя германиевых диодов - тепловым пробоем, происходя-щим с выделением большой удельной мощности в месте пробоя.

диодов в итоге связаны с различием ширины запрещенной зоны исходных

полупроводниковых материалов. Из приведенного сопоставления видно, что выпрямительные диоды, изготовленные из полупроводникового материала с большой шириной запрещенной зоны, обладают существенными преимуществами в свойствах и параметрах. Одним из таких материалов является арсенид галлия, ширина запрещенной зоны которого при комнатной температуре ΔW = 1,43 эВ.
Максимально допустимое обратное напряжение диодов - всего 50 В. Низкое значение пробивного напряжения и соответственно максимально допусти­мого обратного напряжения вызвано большой концентрацией дефектов в области p-n -перехода.
Так, арсенид-галлиевые диоды рассчитаны на максимально допустимый прямой ток 300 мА при прямом напряжении не более 3 В. Прямое напряжение велико, что является недостатком вообще всех выпрямительных диодов, p-n -переходы которых сформированы в материале с большой шириной запрещенной зоны. Максимально допустимое обратное напряжение диодов этой марки - всего 50 В. Низкое значение пробивного напряжения и соответственно максимально допусти­мого обратного напряжения вызвано большой кон­центрацией дефектов в области p-n -перехода.
Положительными особенностями арсенид-галлиевых выпрями­тельных диодов являются значительно больший диапазон рабо­чих температур и лучшие частотные свойства. Верхний предел диапазона рабочих температур арсенид-галлиевых диодов АД112А составляет 250°С. Арсенид-галлиевые диоды могут рабо­тать в качестве выпрямителей малой мощности до частоты 1 МГц, что обеспечивается малым временем жизни носителей заряда в этом материале. Таким образом, арсенид-галлиевые выпрямитель­ные диоды по своим частотным свойствам выходят за пределы низкочастотного диапазона.

замещения при прямом и обратном включении диода
Для прямой

и обратной ветвей ВАХ эти модели различны. На рисунке выше показана прямая и обратная ветви ВАХ диода (линия 1) и аппроксимирующие эти ветви отрезки прямой 2. Уравнение линейной аппроксимации прямого включения диода имеет вид: Эквивалентная схема прямо включенного диода, состоит из последовательно соединенных идеального источника ЭДС U0 и дифференциального сопротивления диода при прямом смещении Rдиф.пр.. А уравнение линейной аппроксимации обратного включения диода имеет вид: Эквивалентная схема обратно включенного диода состоит из параллельно соединенных источника тока I0 и дифференциального сопротивления диода при обратном смещении Rдиф.обр..

один полупе-риод, а в другой полупериод тока в цепи нет.
Таким

образом, в нагрузке имеем пульсирующий ток, который можно представить в виде суммы двух составлящих: постоянной и переменной. Постоянную составляющую тока или напряжения мо-жно определить как среднее значение мгновенной величины за период.
Основными параметрами, характеризующими работу выпрямителя являются:
1 - средние значения тока и напряжения на нагрузке Iн.cp,Uн.cp.



2 - коэффициент пульсаций P.


где Uосн.н.т- амплитуда основной гармоники выпрямленного напряжения.
Для однополупериодного выпрямителя P = 1,57.

В положительный полупериод с ростом напряжения U конденсатор заряжается почти до напряжения U , а при снижении U , а так же в отрицательный полупериод конденсатор разряжается на Rн, поддерживая в нагрузке ток i. Чем больше емкость конденсатора, тем медленнее он разряжа-ется и тем меньше пульсации выходного напряжения. Однако, с увеличением емкости растут габари-ты конденсатора.
Величину емкости CФ выбирают с таким расчетом, чтобы CФRH >> T , где T - период переменной составляющей выпрямленного напряжения.
Применение емкостного фильтра рационально для малых нагрузок, т.е. при больших значениях RH .
Достоинства данной схемы: 1. Простота конструкции. 2. Малое число диодов.
Недостатки: 1. Большой коэффициент пульсаций.

Однофазный однополупериодный выпрямитель.

сравнению с од-нополупериодной схе-мой здесь меньше ко-эффициент пульсаций и выше

значение вып-рямленного напряже-ния.
Недостаток схемы: - большое число дио-дов.

двух однополупе-риодных выпрямителей, подключе-нных к общей нагрузке.
Средние значения выпрямленного

напряжения и коэффициента пуль-саций те же, что и в предыдущей схеме, т.е.




Недостатком данной схемы явля-ется необходимость наличия транс-форматора с выводом средней точ-ки.

котором в об-ласти электрического пробоя при обратном смещении слабо зависит

от тока в заданном его диапазоне и который предназначен для стаби­лизации. В стабилитронах должен быть либо лавинный, либо тунне-ль­ный пробой, так как только при этих видах пробоя получаются ВАХ, необходимые для стабилизации напряжения. В связи с тем что лавинный пробой характерен для диодов, изготовленных из полупрово-дника с большой шириной за­прещенной зоны, исходным материалом для стабилитронов служит крем-ний. Выпускаются стабилитроны с параметрами: Ucт от 1,5 до 180 В, токи стабилизации от 0,5 мА до 1,4 А.

3. Специальные диоды.

него тока стабилизации;
2.Ток стабилизации Iст – значение постоянного тока, протекающего

через стабилитрон в режиме стабилизации;
3.Дифференциальное сопротивление стабилитрона rст – дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации, т. е.
 

4.Температурный коэффициент напряжения стабилизации– отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации:

Основные параметры стабилитронов.

Предельные параметры стабилитронов.

1.Минимально допустимый ток стабилизации Iст min – наименьший ток через стабилитрон, при кото-ром напряжение стабилизации находится в заданных пределах;
2.Максимально допустимый ток стабилизации Iст max – наибольший ток через стабилитрон, при ко-тором напряжение стабилизации находится в заданных пределах, а температура перехода не выше допустимой;
3.Максимально допустимая рассеиваемая мощность P max – мощность, при которой не возникает те-плового пробоя перехода.

широком диапазоне изменения токов при сравнительно небольшом отклонении напряжения. Это

свойство широко используется.
Напряжение пробоя стабилитрона зависит от ширины р-n-перехода, которая определяется удельным сопротивлением материала полупроводника. Поэтому существует определенная зависимость пробив-ного напряжения (т. е. напряжения стабилизации) от концентрации примесей.
Низковольтные стабилитроны выполняют на основе сильно легированного кремния. Ширина р-n-пере-хода в этом случае получается очень маленькой, а напряженность электрического поля потенциаль-ного барьера – очень большой, что создает условия для возникновения туннельного пробоя. При бо-льшой ширине р-n-перехода пробой носит лавинный характер.
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики стабилитрона практически не отличается от прямой ветви ВАХ любого кремниевого диода.

Температурная зависимость вольт-амперной характеристики стабилитрона

В сильно легированных полупроводниках вероятность туннельного пробоя с увеличением температуры

возрастает. Поэтому напряжение стабилизации у таких стабилитронов при нагревании уменьшается, т. е. они имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН)


В слабо легированных полупроводниках при увеличении температуры уменьшается длина свободного пробега носителей, что приводит к увеличению порогового значения напряжения, при котором начинается лавинный пробой. Такие стабилитроны имеют положительный ТКН.

При достижении напряжения на стабилитроне, называемого напряжением стабилизации Uстаб, ток через стабилитрон резко возрастает. Дифференциальное сопротивление Rдиф идеального стабилитрона на этом участке ВАХ стремится к 0, в реальных приборах величина Rдиф составляет значение: Rдиф  250 Ом.
Пробивное напряже­ние диода, а значит, напряжение стабили­зации стабилитрона, зависит от толщины р-n-перехода. Поэто­му разные стабилитроны имеют различ­ные напряжения стабилизации (от 3 до 400 В).
Низковольтные стабилитроны изготовляют на основе сильнолеги­рованного кремния. В связи с этим в низковольтных стабилитронах с напряжением стабилизации менее 6 В происходит туннельный пробой, а пробивное напряжение при тун­нельном пробое уменьшается с уве­личением температуры

Температурная зависимость вольт-амперной характеристики стабилитрона

последовательно в цепь стабилитрона включают обычные диоды в прямом направлении.

Как известно, у обычных диодов в прямом направлении падение напряжения на р-n-переходе при нагревании уменьшается. И если последовательно со стабилитроном включить n диодов в прямом направлении, где


( – изменение прямого падения напряжения на диоде при нагревании от T1 до T2 ), то можно почти полностью компенсировать температурную погрешность стабилитрона.

Термокомпенсация стабилитрона

Параметрический стабилизатор напряжения.

является графическим решением исход-ного уравнения ( точка А ). Изменение

входного напряжения приводит к параллельному смещению ли-нии нагрузки ).
Принцип работы. Допустим Uвх увеличилось. В этом случае за счет нелинейности ВАХ стабилитро-на увеличивается ток Iст , что вызывает увеличение URб на величину, компенсирующую прираще-ние входного напряжения, т.е. выходное напряжение остается приблизительно постоянным. Если из-менилась величина тока нагрузки Iн, допустим увеличилась, то происходит некоторое уменьшение
Uн за счет увеличения падения напряжения на балластном резисторе Rб. Это приводит к умень-

это полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный

эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом напряжении участка отрицательной дифференциальной проводимости.
В отличие от всех остальных полупроводниковых диодов для изготовления туннельных диодов используют полупроводни­ковый материал с очень высокой концентрацией примесей (1018...1020 см-3). Следствием высокой концентрации примесей в прилегающих к p - n -переходу областях является:
1. Малая толщина перехода (около 10-2 мкм), т. е. на два порядка меньше, чем в других полупроводниковых диодах. Сквозь такие тонкие потенциальные барьеры возможно туннелирование носите­лей заряда.
2. Расщепление примесных энергетических уровней с образова­нием примесных энергетических зон, которые примыкают к зоне проводимости в n -области и к валентной зоне в p -области. Уровни Ферми при этом оказываются расположенными в разре­шенных зонах.


УГО туннельного диода

шению тока через стабилитрон на величину, равную приращению Iн, т.е. величина падения напря-жения на балластном резисторе Rб и соответственно Uн возвращаются к прежним значениям.

Выводы:
-Полупроводниковый стабилитрон это диод, работающий при обратном напряжении в режиме элек-трического пробоя.
-Необходимое напряжение стабилизации получают выбором соответствующей концентрации примеси в базе диода.

напряжении; в-пиковом напряжении; г-напряжении, соответствующем отрицательному дифференциальному сопротивлению; д-напряжению впадины;

е-напряжении раствора, вызывающем значительный инжекционный ток; ж-обратном напряжении.

В диоде без внешнего напря-жения существует туннелиро­вание электронов из n –обла-сти в p -область и обратно. Встреч­ные потоки электро-нов равны, поэтому суммар-ный ток через диод равен ну-лю (а).
При небольшом прямом нап-ряжении на туннельном дио-де происходит уменьшение высоты потенциального барь-ера p - n - пе­рехода или сме-щение энергетической диаг-раммы n -области относите-льно энергетической диагра-ммы p -области. Свободные энергетические уровни p –области (занятые дырками), располо­женные непосредст-венно над уровнем Ферми, оказываются на одной высо-те по энергетической диагра-мме или при одних и тех же значениях с энергетическими уровнями n -области, заняты-ми электронами (б). Поэтому будет происходить преиму-щественное туннелирование

диоде, когда свободные энерге­тические уровни валентной и примесной зон p

-области окажутся на одной высоте с занятыми электронами энергетическими уров­нями зоны проводимости и примесной зоны n -области, туннель­ный ток через диод будет максимальным (в).
При дальнейшем увеличении прямого напряжения на диоде туннельный ток через диод будет умень-шаться, так как из-за смещения энергетических диаграмм будет уменьшаться количе­ство электронов, способных туннелировать из n -области в p -об­ласть (г).
Туннельный ток через диод окажется равным нулю при не­котором еще большем прямом напряжении, когда из-за относи­тельного смещения энергетических диаграмм n - и p -областей для свободных электронов n -области не будет свободных энерге­тических уровней в p -области (д). Од-нако при этом через диод будет проходит прямой ток, обусловленный переходом носителей заряда через понизившийся потенциальный барьер p - n -перехода, т. е. ток, связанный с инжекцией.
С дальнейшим увеличением прямого напряжения в связи с уменьшением высоты потенциального барьера прямой ток через туннельный диод будет возрастать, как и в обычных выпрями­тельных диодах (е).
При обратном напряжении на туннельном диоде опять возникают условия для туннелирования элек-тронов (ж). Только теперь электроны туннелируют из валентной зоны p -об­ласти в зону проводимо-сти n -области. Возникающий при этом обратный ток будет расти с увеличением обратного напряже­ния по абсолютному значению. Туннельный диод обладает от­носительно высокой проводимостью при обратном напряжении. Можно считать, что у туннельного диода при ничтожно малых обратных напряжениях происходит туннельный пробой.
Таким образом, туннельный диод обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением в некотором диапазоне пря­мых напряжений. Это и является самым интересным свойством туннельного диода, так как всякий прибор с отрицательным дифференциальным сопротивлением может быть ис-пользован для генерации и усиления электромагнитных колебаний, а также в переключающих схе-мах. Туннельные диоды одинаково хорошо проводят ток при любой полярности приложенного нап-ряжения, т. е. они не обладают вентильными свойствами. Более того, обратный ток у них во много раз больше обратного тока других диодов.

прямой ток в точке максимума ВАХ, при кото­ром значение di/du

равно нулю. Этот ток различен для туннельных диодов разного назначения. Значе­ние его может составлять от деся­тых долей миллиампера до сотен миллиампер.

2.Ток впадины I в — прямой ток в точке минимума ВАХ, при котором значение di/du равно нулю.

3.Отношение токов туннельного диода Iп/Iв— отношение пикового тока к току впадины. Для тунне-льных диодов из арсенида гал­лия Iп/Iв≥10, для германиевых туннельных диодов Iп/Iв = 3 ... 6.

4.Напряжение пика U п — прямое напряжение, соответствую­щее пиковому току. Для туннельных диодов из арсенида галлия U п = 100...150 мВ, для германиевых U п = 40...60 мВ.

5.Напряжение впадины U в — прямое напряжение, соответ­ствующее току впадины. У туннельных диодов из арсенида гал­лия U в = 400...500 мВ, у германиевых U B = 250...350 мВ.

6.Напряжение раствора U рр — прямое напряжение, большее напряжения впадины, при котором ток равен пиковому.

Температурные зависимости параметров туннельных диодов.

Параметры туннельных диодов.

Изменение температуры туннельного диода может по-разному влиять на туннельную составляющую тока и на составляющую, связанную с инжекцией.

носителей заряда;
г_ - отрицательное дифференциальное сопротивление тунне-льного диода;
Cбар -

барьерная емкость туннельного диода;
L - индуктивность выводов.

На температурную зависимость туннельной составляющей тока могут, влиять следующие физические факторы.
С повышением температуры уменьшается ширина запре­щенной зоны арсенида галлия и германия - основных исход­ных полупроводниковых материалов для туннельных диодов. Уменьшение ширины запрещенной зоны приводит к уменьше­нию толщины потенциального барьера, сквозь который тун-нели­руют электроны, при этом вероятность туннелирования растет. Туннельная составляющая тока и, в частности, пиковый ток увеличиваются.
При увеличении температуры изменяется распределение электронов по энергетическим уровням - количество электро­нов под уровнем Ферми в зоне проводимости n -области умень­шается, так как часть свободных электронов переходит на более высокие энергетические уровни, а уровень Ферми смещается вниз. Поэтому уменьшается число электронов, которые могут туннелировать из n -области в p -область. Туннельная состав­ляющая прямого тока уменьшается.
Так как эти факторы действуют в разные сто­роны, то суммарное их влияние, во-первых, должно быть ма­лым, а во-вторых, оно может привести как к увеличению, так и к уменьшению пикового тока туннельного диода с увеличением температуры.
Инжекционная составляющая тока туннельного диода растет с увеличением температуры по двум причинам, имеющим место и в выпрямительных диодах: уменьшение высоты потенциального барьера и перераспределение носителей заряда по энергетическим уровням. Поэтому у туннельного диода ток впадины растет с увеличением температуры.

Эквивалентная схема туннельного диода.

Эквивалентная схема туннельного диода.

вольт-ампе-рной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Это позволяет использовать

туннельный диод в качестве усилительного элемента.
2. Туннельный эффект достигается за счет очень высокой концентрации примесей в p- и n-областях.
3. Так как возникновение туннельного тока нес вязано с инжекцией носителей заряда, туннельные диоды имеют малую инерционность и вследствие этого могут применяться для усиления и генерации высокочастотных колебаний.

3.3 Варикап.

Варикап — это полупроводниковый диод, действие которого основано на исполь­зовании зависимо-сти емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
Диод обладает барьерной и диффузионной емкостями. В качестве варикапов используют толь­ко диоды при обратном постоянном смещении, когда проявляется только барьерная емкость. Диффузионная емкость проявляется при прямом смещении диода, когда проводимость его велика и ве­лики потери мощности из-за относительно больших активных токов через диод.
Зависимость емкости от напряжения смещения различна для варикапов, изготовленных методом диффузии или методом вплавления примесей. В сплавных варикапах с резким p - n -пе­реходом зависимость барьерной емкости от напряжения смещения получается более резкая. Связано это с тем, что глубина проникно­вения электрического поля в материал зависит от удельного сопротивле-ния этого материала. В сплавном варикапе слои полупроводника, приле­гающие к переходу, легиро-ваны равномерно, а в диффузионном — при удалении от перехода концентрация некомпенсирован-ных примесей увеличивается, т. е. уменьшается удельное сопротив­ление.
Поэтому для получения еще более резкой зависимости емкости варикапа от напряжения смещения необходимо создавать в объеме полупроводника варикапа аномальное распределение

условное графическое изображение варикапов
некомпенсированных приме­сей с градиентом концентрации другого знака

по сравнению со зна­ком градиента концентрации в объеме полупроводника диффузионного диода. Как и в других диодах, сопротивление объема полупроводника варикапа должно быть по возможности малым. Одновремен-но для большего пробив­ного напряжения необходимо большее удельное сопротивление слоев полу-проводника, прилегающих к p - n -переходу.

Основные параметры:
Емкость варикапа Св— емкость, измеренная между выво­дами варикапа при зада-нном обратном напряжении. Для раз­личных варикапов ем-кость может быть от несколь-ких единиц до нескольких сотен пикофарад.
Коэффициент перекрытия по емкости Кс — отношение ем­костей варикапа при двух заданных значениях обратных напряже­ний. Значение этого параметра составляет обычно несколько единиц.
Добротность варикапа QB — отношение реактивного сопро­тивления варикапа на заданной частоте переменно-го сигнала к сопротивлению

Основные параметры варикапа.

это величина, об-ратная танген­су угла диэлектрических потерь. Добротность варикапов измеряют

обычно при тех же
же напряжениях смещения, что и емкость. Значение добротности — от нескольких десятков до нес-кольких сотен.

Эквивалентная схема варикапа.

Эквивалентная схема варикапа.

Изменение барьерной емкости при изменении напряжения на p - n -переходе и перезарядка этой емкости под действием изменяю­щегося напряжения обусловлены смещением основных носителей заряда в прилегающих к переходу областях.
При низких частотах в эквивалентной схеме варикапа можно не учи-тывать малое объемное сопротивление полупроводника по сравне-нию с боль­шим емкостным сопротивлением барьерной емкости и бо-льшим активным сопротивлением перехода. Таким образом, при низ-
ких частотах упрощенная эквивалентная схема варикапа представля-

основе p-n- перехо-да, излучающий кванты света при протекании через него

прямого тока.
Принцип действия светодиодов основан на использовании явления излучательной рекомбинации. Ко-гда через p-n-переход протекает прямой ток, то при этом происходит рекомбинация носителей, т. е. заполнение свободного энергетического уровня в валентной зоне электроном, находящимся в зоне проводимости, что, естественно, сопровождается выделением энергии. Чаще всего эта энергия выде-ляется в виде тепла, но можно подобрать такие полупроводниковые материалы, в которых явление рекомбинации будет сопровождаться излучением квантов лучистой энергии.

Энергетическая диаграмма прямо включенного светодиода.

По характеристике излуче-ния светодиоды разделяют на две группы:
-Светодиоды с излучением в видимой части спектра;
-Светодиоды с излучением в инфракрасной части диа-пазона.
Конструктивное оформле-ние светодиодов также ра-зличное, однако, чаще все-го они выполняются в виде монокристалла полупрово-дника, в котором создан p-n-переход; кристалл вмон-тирован в стеклянный кор-пус-линзу, свободно пропу-скающую излучаемый свет.

3.4 Светодиоды.

устройствах для ввода – вывода информации, а также в устройствах

оптоэлектроники.

Конструкции светодиодов (а); структура (б) и условное графическое обозначение светодиода (в).

Светодиоды могут иметь нес-колько p-n-переходов, рас-положенных на одном моно-кристалле. В зависимости от их включения или режима работы они излучают в раз-личных областях спектра и имеют управляемый цвет свечения. При этом исполь-зуются или зависимость ин-тенсивности отдельных час-тот излучения от тока p-n-перехода, или смешение из-лучений двух светодиодов, имеющих свечение разного цвета.

Наибольшее распространение получил второй случай. Как видно из рисунка на кристалле полупрово-дника созданы два p-n-перехода.
Примеси подобраны таким образом, что один переход излучает свет красного цвета, а другой – зеле-ного. При их смешивании получается желтый цвет. В структуре имеется три (1, 2, 3) вывода, что по-зволяет через каждый p-n-переход пропускать свое значение тока. Изменяя токи переходов, удается менять цвет излучения от желто-зеленого до красно-желтого оттенка, а также получать чистые крас-ный и зеленый цвета.

подобраны таким образом, что один переход излучает свет красного цве-та,

а другой – зеленого. При их смешивании получается желтый цвет. В структуре имеется три (1, 2, 3) вывода, что позволяет через каждый p-n-переход пропускать свое значение тока. Изменяя токи переходов, удается ме-нять цвет излучения от жел-то-зеленого до красно-жел-того оттенка, а также полу-чать чистые красный и зеле-ный цвета.

Комбинируя включение отдельных переходов, можно получить изображение светящейся цифры, бук-вы или знака. Для этого на базе светодиодов выпускаются знакосинтезирующие индикаторы, напри-мер цифровые, которые могут быть одноразрядными и многоразрядными. В сегментных знакосинте-зирующих индикаторах каждый сегмент выполнен в виде отдельного светодиода. Для высвечивания цифр от нуля до девяти необходимо иметь по меньшей мере семь сегментов. На рисунке представлен семисегментный одноразрядный индикатор и его схема.
Низкое напряжение питания, малые токи, миниатюрность, долговечность, высокое быстродействие - основные достоинства светодиодных индикаторов отображения информации.

и возможности получения любого цвета излучения имеют и ряд других

замечательных свойств.
Отсутствие нити накала благодаря нетепловой природе излучения светодиодов обусловливает длительный срок службы. Производители светодиодов декларируют срок службы до 100000 часов. У ламп накаливания средний срок службы составляет 1000 часов, у люминесцентных в большинстве случаев срок службы ограничивается 10...15000 ч. Отсутствие стеклянной колбы у светодиодов определяет очень высокую механическую прочность и надежность.
Малое тепловыделение и низкое питающее напряжение гарантируют высокий уровень безопасности, а безынерционность делает светодиоды незаменимыми, когда нужно высокое быстродействие.

светораспределение определяют другие, не менее важные достоинства. Световые приборы на

основе светодиодов оказываются компактными и удобными в установке.
Не следует забывать об экологичности светодиодов (отсутствии у них ртутьсодержащих компонентов по сравнению с люминесцентными лампами), а также отсутствии электромагнитных излучений и помех, что крайне важно в современных условиях ужесточения экологических норм.

использующий явление внутреннего фотоэффекта. Фотодиоды имеют различную конструк-цию, различное назначение

и различные параметры.

Конструкция фотодиода (а), структура (б) и условное графическое обоз-начение фотодиода (в).

Фотодиод можно испо-льзовать в двух разли-чных включениях: фо-тодиодном и фотогаль-ваническом.
Фотогальваническое включение предпола-гает использование фо-тодиода как источника фотоЭДС, поэтому в на-стоящее время его на-зывают полупроводни-ковый фотоэлемент.

Рассмотрим процесс возникновения фотоЭДС в фотодиоде. В отсутствие освещения фотодиода конце-нтрация носителей в его обеих областях будет равновесной, а следовательно никакой разности поте-нциалов между областями не будет. Если же осветить полупроводник лучами света, то в результате поглощения энергии фотонов будут образовываться пары «электрон – дырка». Дырки в области p являются основными носителями, поэтому поле p-n-перехода будет их отталкивать от границы раз-дела, а вот образовавшиеся свободные электроны, являясь в области p неосновными носителями, будут переброшены полем через границу раздела в область n, где они являются основными. Аналоги-чно, в области n из образовавшихся носителей «электрон – дырка» только дырки, являясь неоснов-

образовавшиеся свобо-дные электроны только пополнят количество основных носителей в области n,

увеличив их концен-трацию.
Таким образом, за счёт поглощённой световой энергии в полупроводнике образуются пары носите-лей; неосновные носители перебрасываются в соседнюю область электрическим полем p-n-перехода, а основные носители остаются в своей области; концентрация носителей возрастает и становится сверхравновесной, т. е. суммарный электрический заряд основных носителей в обеих областях полу-проводника уже не уравновешивается противоположным зарядом ионов примеси, и следовательно в области p появляется суммарный положительный заряд, а в области n – суммарный отрицательный заряд, которые обусловят возникновение разности потенциалов между областью p и областью n. Эту разность потенциалов называют фотоЭДС. Если теперь создать внешнюю электрическую цепь между областями p и n, то по ней потечёт электрический ток – фототок под действием возникшей фотоЭДС.

Процесс генерации свободных носителей заряда.

Следует отметить, что из всех образовав-шихся в результате поглощения лучистой энергии носителей не все будут участво-вать в образовании светового тока, а толь-ко те, которые попадают в зону действия электрического поля потенциального барь-ера, ограниченную областью δ. Остальные неосновные носители, образовавшиеся вне этой зоны, скорее всего, рекомбинируют, снижая эффективность использования све-товой энергии. Отсюда становится ясной целесообразность конструктивного испол-нения фотодиода, когда освещают не обе области полупроводника, а только одну, за-то очень тонкую, когда практически все об-разовавшиеся под действием освещения

по отношению к затенённому фотодиоду включен в обратном, запирающем направлении,

и следовательно, при отсутствии освещения ток в цепи практически отсутствует. При освещении фотодиода появляется фотоЭДС , которая по отношению к источнику включена последовательно и согласно и в цепи нагрузки появляется ток, пропорциональный световому потоку.

неосновные носители будут разделены р-n-переходом.

Фотодиодное включение.

Схема фотодиодного включе-ния.

Основные параметры фотодиодов.

1. Чувствительность



2. Рабочее напряжение


 3. Динамическое сопротивление

 

каче-стве преобразователей солнечной энергии в электрическую. Из таких элементов создают

солнечные батареи, которые обладают сравнительно высоким КПД (до 20 %) и могут развивать мощность до не-скольких киловатт. Солнечные батареи являются основными источниками питания искусственных спу-тников Земли, космических кораблях, автоматических метеостанциях и др. Практическое применение солнечных батарей непрерывно расширяется.

3.6 Диоды Шотки.

Диод Шотки — это полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между ме­таллом и полупроводником.
Для всех диодов основным физическим процессом, ограничивающим диапазон ра­бочих частот, оказывался процесс накопления и рассасывания не­основных носителей заряда в базе диода. Другой физический про­цесс — перезаряд барьерной емкости выпрямляющего электриче­ского перехода — имел в рассмотренных диодах второстепенное значение и сказывался на их частотных свойствах только при опре­деленных условиях. Поэтому нужна была технологии изготовления диодов, выполнение которой обеспечивало бы ускорение рассасывания накопленных в базе за время действия прямого напряжения неосновных носителей за­ряда. Одной из возможностей практически полного устранения инжекции неоснов­ных носителей заряда при сохранении выпрямительных свойств полупроводникового диода – это использование выпрямляющего перехода Шотки, т. е. вы­прямляющего электрического перехода, образованного в результа­те контакта между металлом и полупроводником. При вклю­чении выпрямляющего перехода Шотки в прямом направлении прямой ток возникает благодаря движению основных носителей заряда полупроводника в металл, а носители другого знака (неос­новные для полупроводника) практически не могут перейти из ме­талла в полупроводник из-за высокого для них потенциального барьера на переходе. Таким образом, на основе выпрямляющего перехода Шотки мо­гут быть созданы выпрямительные, импульсные и сверхвысоко­частотные полупроводниковые диоды, отличающиеся от диодов с р-n-переходом лучшими частотными свойствами.

перезарядки барьерной емкости перехода. Постоянная времени перезарядки зависит и от

сопротивления базы диода. Поэтому выпрямляющий переход Шотки целесообразнее создавать на кристалле полупроводника с электропроводностью n-типа — подвижность электронов больше подвижности дырок. По той же причине должна быть большой и концентрация примесей в кристалле полупроводника.
Однако толщина потенциального барьера Шотки, возникаю­щего в полупроводнике вблизи границы раздела с металлом, долж­на быть достаточно большой. Только при большой толщине потен­циального барьера (перехода Шотки) можно будет, во-первых, устранить вероятность туннелирования носителей заряда сквозь потенциальный барьер, во-вторых, получить достаточные значения пробивного напряжения и, в-третьих, получить меньшие значения удельной (на единицу площади) барьерной емкости перехода. А толщина перехода или потенциального барьера зависит от концентрации примесей в полупроводнике: чем больше концентрация примесей, тем тоньше переход. Отсюда следует проти­воположное требование меньшей концентрации примесей в полу­проводнике.
Выпрямительные низкочастотные диоды предпочтительнее из­готовлять с р-n-переходом. Однако выпрямительные диоды Шотки в об­ласти низких частот могут в перспективе иметь преимущество перед диодами с р-n-переходом, связанное с простотой изготов­ления. Вы­прямительные диоды Шотки выдерживают значительно большие перегрузки по току по сравнению с аналогичными дио­дами с р-n-переходом на основе того же самого полупроводнико­вого материала. Еще одна особенность диодов Шотки заключается в идеаль­ности прямой ветви ВАХ. На рисунке ниже приведена ВАХ выпрямляющего диода Шотки.
Наибольшие преимущества перед диодами с р-n-переходом диоды Шотки имеют при выпрямлении больших токов высокой частоты. Здесь кроме лучших частотных свойств диодов Шотки следует отметить такие их особенности: меньшее прямое напряжение из-за меньшей высоты потенциального барьера для основных носителей заряда полупроводника; большая макси­мально допустимая плотность прямого тока, что связано, во-первых, с меньшим прямым напряжением и, во-вторых, с хорошим теплоотводом от выпрямляющего перехода Шотки. Исходным полупроводниковым материалом для этих диодов может быть, так же как и для выпрями­ тельных диодов Шотки, кремний или арсенид галлия.

S-сера,C-углерод, N-азот.

Два "первых" кольца обеднены электронами, в то время как на

"второй" паре колец наблюдается их избыток. Для того чтобы молекула работала как диод необходимо было прикрепить ее к двум электродам (катоду и аноду) при помощи ковалентных связей.

УГО полупроводниковых диодов